LES NANOCOMPOSITES ET LES NANOSTRUCTURES AVEC LES SEMI-CONDUCTEURS AIIIBVI, ET LES OXYDES DANS LES DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES ET LES RECEPTEURS DE GAZ A L’EFFET DE SERRE
DMITROGLO LILIANA(1*), CARAMAN IULIANA(2), UNTILA DUMITRU(1,3), EVTODIEV SILVIA(1,4), EVTODIEV IGOR(1,3)
1. Faculté de Physique et d'Ingénierie, L'Université d'Etat de Moldova, Alexei Mateevici, 60, Chișinău, 2009, Moldova 2. Université “Vasile Alecsandri”du Bacău, Calea Mărăşeşti 156,Bacău, 600115, Roumanie 3. Institut d’Ingénierie Électronique et Nanotechnologies ”D.Ghițu”, Académie des Sciences de Moldova, Academiei, 3/3, Chisinau, 2028, Moldova 4. Université de Science Politique et Économique Européenne ”Constantin Stere”, Stefan cel Mare si Sfânt, 200, Chișinău, 2004, Moldova *Corresponding author, courriel dmitrogloliliana@yahoo.com
Abstract
Le composite Ga2O3-Ga2S3-GaS est un matériau photosensible dans la région violette-UV du spectre. Le maximum de la dépendance spectrale à la variation de conductivité électrique se trouve dans la région de 290÷320 nm, la région dans qui se trouve la bande d'absorption de l'ozone et en même temps d’absorption du rayonnement dangereux pour les organismes vivants. Ainsi, les structures de Ga2O3, et Ga2S3 peuvent servir comme récepteurs de l'ozone et de dioxyde de carbone.